西安工程大学2025考研入学考试大纲：理学院(半导体器件)_学习网官网

2025年西安工程大学理学院硕士研究生入学考试大纲已公布，具体内容请查看正文。点击进入>>2025考研【统考科目大纲】+【自命题科目大纲】

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《半导体器件》考试大纲

一、大纲综述

本科目是西安工程大学电子信息(集成电路工程)二级硕士点研究生考试的初试科目，主要考察学生对本科阶段所学的半导体器件物理的基本概念、基本原理、基本结构、解决简单工程问题与思维方式的掌握程度。考试内容主要涵盖有半导体物理基础、PN结、双极性晶体管、金属-半导体接触、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管等基本内容。

二、考试内容

1、半导体物理基础

1.1晶体结构、能带、载流子的统计分布

1.2电荷输运、准费米能级、复合机制、半导体中的基本控制方程

2、pn结

2.1热平衡PN结、加偏压的PN结

2.2理想PN结二极管的直流电流-电压特性

2.3空间电荷区复合电流和产生电流、隧道电流

2.4大注入效应

2.5温度对PN结I-V特性的影响、耗尽层电容、杂质分布和变容二极管

2.6 PN结二极管的频率特性、PN结二极管的开关特性、PN结击穿

3、双极型晶体管

3.1双极结型晶体管的结构和制造工艺

3.2双极结型晶体管的基本工作原理、理想双极结型晶体管中的电流传输

3.3埃伯斯-莫尔方程、缓变基区晶体管、基区扩展电阻和电流集聚效应

3.4基区宽度调变效应、晶体管的频率响应、混接π模型等效电路

3.5 BJT的混接π模型、频率响应、基区展宽

3.6晶体管的开关特性、反向电流和击穿电压

3.7异质结双极性晶体管

4、金属-半导体结

4.1肖特基势垒、界面态对势垒高度的影响、镜像力对势垒高度的影响

4.2肖特基势垒二极管的结构、肖特基势垒二极管的电流一电压特性、金属-绝缘体-半导体肖特基二极管

4.3肖特基势垒二极管和PN结二极管的比较、欧姆接触非整流的M-S结

5、结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管

5.1 JFET的基本结构和工作原理

5.2理想JFET的I-V特性、静态特性、小信号参数和等效电路、JFET的最高工作频率、沟道长度调制效应

5.3夹断后的JFET的性能、金属-半导体场效应晶体管、JFET和MESFET的类型

6、金属-氧化物-半导体场效应晶体管

6.1理想MOS结构的表面空间电荷区

6.2理想MOS电容器、沟道电导与阈值电压

6.3实际MOS的电容-电压特性和阈值电压

6.4 MOS场效应晶体管、等效电路和频率响应

6.5 MOS场效应晶体管的类型

6.6 MOS场效应晶体管的亚阈值区

6.7沟道长度调制效应、短沟道效应、恒场等比例缩小

三、参考书目

《半导体物理与器件》(第三版)，孟庆巨主编，科学出版社，2022年。

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